[发明专利]减小图像传感器电学互扰的方法

摘要

本发明公开了一种减小图像传感器电学互扰的方法，通过在制备图像传感器的工艺过程中的背面减薄工艺前，淀积一具有拉应力的应力层，并经过退火工艺，等离子或者紫外线修复工艺以获得更大的拉应力，使衬底和外延层以及晶体管受到拉应力，从而克服现有技术中由于STI的压应力导致电子转移减慢，影响光电二极管中的响应速度的问题，同时也克服现有技术中由于外延层存在压应力导致电子迁移率降低，在进行第二次光照时，会产生电学互扰的问题，进而提高电子迁移率，减小电学干扰问题的发生机率，提高图像传感器的良率。

主权项

一种减小图像传感器电学互扰的方法，应用于制造图像传感器的工艺中，提供一所述图像传感器背面减薄前的半导体器件，所述半导体器件包括一衬底，且该衬底的上表面形成有所述图像传感器的结构，其特征在于，包括：于所述衬底的下表面制备一应力层，以增大所述图像传感器结构的应力；去除所述应力层后，继续所述半导体器件背面的减薄工艺。