[发明专利]一种半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 201310163044.1 | 申请日： | 2013-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN104143523A | 公开（公告）日： | 2014-11-12 |
| 发明（设计）人： | 赵简;曹轶宾 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域。所述方法：步骤S101：提供前端器件，在所述前端器件上形成介电层；步骤S102：对所述介电层进行图形化处理以形成沟槽结构；步骤S103：对所述沟槽结构进行清洗；步骤S104：对所述沟槽结构进行预处理；步骤S105：在所述沟槽结构中形成扩散阻挡层。本发明的半导体器件的制造方法，通过在对沟槽结构进行清洗的步骤之后增加对沟槽结构进行预处理的步骤，可以在一定程度上进一步去除图形化工艺产生的残留物，驱除半导体器件中的潮气，并可以修复图形化过程中对介电层造成的损伤，改善半导体器件的RC延迟现象，提高半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述包括： 步骤S101：提供前端器件，在所述前端器件上形成介电层； 步骤S102：对所述介电层进行图形化处理以形成沟槽结构； 步骤S103：对所述沟槽结构进行清洗； 步骤S104：对所述沟槽结构进行预处理； 步骤S105：在所述沟槽结构中形成扩散阻挡层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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