[发明专利]一种半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 201310163044.1 | 申请日： | 2013-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN104143523A | 公开（公告）日： | 2014-11-12 |
| 发明（设计）人： | 赵简;曹轶宾 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述包括：
步骤S101：提供前端器件，在所述前端器件上形成介电层；
步骤S102：对所述介电层进行图形化处理以形成沟槽结构；
步骤S103：对所述沟槽结构进行清洗；
步骤S104：对所述沟槽结构进行预处理；
步骤S105：在所述沟槽结构中形成扩散阻挡层。
2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述介电层为低k介电层。
3.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S102中，对所述介电层进行图形化处理的方法为一体化刻蚀。
4.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S104中所述预处理为低温退火。
5.如权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述低温退火的退火温度为300-400℃。
6.如权利要求1至5任一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S105之后还包括步骤S106：在所述扩散阻挡层上形成种子层。
7.如权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S106之后还包括步骤S107：在所述种子层上形成金属层。
8.如权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S107中，形成所述金属层的方法为电化学电镀法。
9.如权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S107之后还包括步骤S108：对所述金属层进行化学机械抛光。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
