[发明专利]铜铟镓硒多层薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201310162904.X | 申请日： | 2013-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN103280487A | 公开（公告）日： | 2013-09-04 |
| 发明（设计）人： | 徐东;徐永清;叶帅 | 申请（专利权）人： | 深圳市亚太兴实业有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/032 |
| 代理公司： | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人： | 彭家恩;彭愿洁 |
| 地址： | 518103 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请涉及铜铟镓硒多层薄膜及其制备方法，方法包括：配制步骤，配制包含不同Ga/(In+Ga)比例的铜铟镓硒前驱溶胶；涂覆步骤，非真空条件下，按照在从衬底到远离衬底的方向上Ga/(In+Ga)比例为先递减后递增的方式，将所述铜铟镓硒前驱溶胶逐层涂覆到衬底上，得到铜铟镓硒前驱薄膜；生成步骤，对所述涂覆步骤最终得到的铜铟镓硒前驱薄膜进行热处理，冷却后即制成铜铟镓硒多层薄膜。该方法属于非真空制备薄膜的方法，不仅工艺简单，成本低廉，而且适合于产业化的大规模生产。 | ||
| 搜索关键词： | 铜铟镓硒 多层 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种铜铟镓硒多层薄膜的制备方法，其特征在于，包括：配制步骤：配制包含不同Ga/(In+Ga)比例的铜铟镓硒前驱溶胶；涂覆步骤：非真空条件下，按照在从衬底到远离衬底的方向上Ga/(In+Ga)比例为先递减后递增的方式，将所述铜铟镓硒前驱溶胶逐层涂覆到衬底上，得到铜铟镓硒前驱薄膜；生成步骤：对所述涂覆步骤最终得到的铜铟镓硒前驱薄膜进行热处理，冷却后即制成铜铟镓硒多层薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
