[发明专利]形成嵌入式SOP扇出型封装的半导体器件和方法有效
| 申请号： | 201310158510.7 | 申请日： | 2013-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN103515252B | 公开（公告）日： | 2018-01-30 |
| 发明（设计）人： | 林耀剑;陈康 | 申请（专利权）人： | 新科金朋有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/60;H05K3/34;H01L23/31;H01L23/538 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 徐红燕,卢江 |
| 地址： | 新*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及形成嵌入式SoP扇出型封装的半导体器件和方法。一种半导体器件，包括球栅阵列（BGA）封装，球栅阵列（BGA）封装包括第一凸块。在第一凸块之间将第一半导体管芯安装至BGA封装。将BGA封装和第一半导体管芯安装至载体。将第一密封剂沉积在载体之上以及BGA封装和第一半导体管芯周围。移除载体，以暴露第一凸块和第一半导体管芯。将互连结构电连接至第一凸块和第一半导体管芯。BGA封装还包括衬底和第二半导体管芯，第二半导体管芯被安装且电连接至衬底。将第二密封剂沉积在第二半导体管芯和衬底之上。在衬底之上与第二半导体管芯相对地形成第一凸块。在BGA封装之上形成翘曲平衡层。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 嵌入式 sop 扇出型 封装 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种制作半导体器件的方法，包括：提供球栅阵列(BGA)封装，该球栅阵列(BGA)封装包括第一半导体管芯；在所述BGA封装的第一表面上形成多个第一凸块；将第二半导体管芯布置在所述BGA封装的第一表面之上所述第一凸块之间，其中将第二半导体管芯布置在第一凸块的高度内；将第一密封剂沉积在所述BGA封装之上以及在第一凸块与第二半导体管芯之间；以及形成与所述第一密封剂和所述第二半导体管芯接触的互连结构，其中所述互连结构接触所述第一凸块和所述第二半导体管芯的接触焊盘。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
