[发明专利]形成嵌入式SOP扇出型封装的半导体器件和方法

权利要求书

1.一种制作半导体器件的方法，包括：

提供球栅阵列(BGA)封装，该球栅阵列(BGA)封装包括第一半导体管芯；

在所述BGA封装的第一表面上形成多个第一凸块；

将第二半导体管芯布置在所述BGA封装的第一表面之上所述第一凸块之间，其中将第二半导体管芯布置在第一凸块的高度内；

将第一密封剂沉积在所述BGA封装之上以及在第一凸块与第二半导体管芯之间；以及

形成与所述第一密封剂和所述第二半导体管芯接触的互连结构，其中所述互连结构接触所述第一凸块和所述第二半导体管芯的接触焊盘。

2.根据权利要求1所述的方法，其中提供所述BGA封装还包括：

提供衬底；以及

将第二密封剂沉积在所述第一半导体管芯和衬底之上。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述BGA封装之上形成翘曲平衡层。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括：从第一密封剂暴露BGA封装的第二表面。

5.一种制作半导体器件的方法，包括：

提供衬底；

在所述衬底的第一表面上设置第一半导体管芯；

将第一密封剂沉积在第一半导体管芯以及所述衬底的第一表面之上；

在与所述衬底的第一表面相对的衬底的第二表面上形成多个第一互连结构；

将第二半导体管芯布置在所述衬底的第二表面之上所述第一互连结构之间；

将第二密封剂沉积在所述衬底和第一半导体管芯之上以及第二半导体管芯与所述第一互连结构之间；以及

形成与所述第二密封剂和第二半导体管芯接触的第二互连结构，其中所述第二互连结构接触所述第一互连结构和所述第二半导体管芯的接触焊盘。

6.根据权利要求5所述的方法，其中形成所述多个第一互连结构包括形成多个凸块。

7.根据权利要求5所述的方法，还包括在所述第一半导体管芯之上形成翘曲平衡层。

8.根据权利要求5所述的方法，还包括在第二半导体管芯和第二互连结构之间形成导电层。

9.根据权利要求5所述的方法，其中形成所述第二互连结构还包括：

在第二密封剂之上形成第一绝缘层；

在所述第一绝缘层之上形成第一导电层，并该第一导电层电连接至所述第一互连结构和所述第二半导体管芯；

在所述第一导电层之上形成第二绝缘层；以及

在所述第二绝缘层之上形成多个凸块并该多个凸块电连接至所述第一导电层。

10.一种半导体器件，包括：

衬底；

第一半导体管芯，布置在所述衬底的第一表面之上；

第二半导体管芯，布置在与所述衬底的第一表面相对的所述衬底的第二表面之上；

所述衬底的第二表面之上形成的第一互连结构，其中将第二半导体管芯布置在所述第一互连结构之间；

密封剂，沉积在所述第一半导体管芯和衬底之上以及第二半导体管芯与第一互连结构之间；以及

形成为与所述密封剂和所述第二半导体管芯接触的第二互连结构，其中所述第二互连结构接触所述第一互连结构以及所述第二半导体管芯的接触焊盘。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述第二半导体管芯包括比所述第一互连结构的高度小的高度。

12.根据权利要求10所述的半导体器件，还包括：翘曲平衡层，在所述第一半导体管芯之上形成。

13.根据权利要求10所述的半导体器件，还包括：屏蔽层或散热片，在所述第一半导体管芯之上形成。

14.根据权利要求10所述的半导体器件，其中密封剂包括开口以提供应力消除。