[发明专利]一种无机电致发光器件及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201310149226.3 申请日: 2013-04-25
公开(公告)号: CN104124316B 公开(公告)日: 2017-11-21
发明(设计)人: 马向阳;杨扬;杨德仁 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: H01L33/26 分类号: H01L33/26;H01L33/00;H01L33/52;H01L33/50
代理公司: 浙江杭州金通专利事务所有限公司33100 代理人: 刘晓春
地址: 310027*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开一种无机电致发光器件,包括衬底、依次沉积在衬底正面的发光层、第一势垒层和透明电极层、以及沉积在衬底背面的欧姆接触电极;衬底与发光层之间还可沉积有第二势垒层;所述的发光层为掺杂稀土的氧化物薄膜,第一势垒层和第二势垒层为禁带宽度大于发光层0.2~1 eV的氧化物薄膜。本发明还提供了上述发光器件的制备方法。该发光器件在较低的直流偏压下会在掺入稀土的特征区域发光;发光强度随着注入电流的增大而增加。本发明提供一种结构简单、制造方便、成本低廉、光谱范围宽、波段易于控制、不易老化的无机电致发光器件,可与微电子器件结合形成硅基光电器件,在激光器、照明、显示屏幕、光纤通讯以及光电检测等领域具有良好的应用前景。
搜索关键词: 一种 无机 电致发光 器件 及其 制备 方法
【主权项】:
一种无机电致发光器件,其特征在于:包括衬底、自下而上依次沉积在衬底正面的发光层、第一势垒层和透明电极层、以及沉积在衬底背面的欧姆接触电极;所述的衬底为导电的无机材料,所述的发光层为掺杂稀土的第一氧化物薄膜,所述的第一势垒层为禁带宽度大于发光层0.2~1eV的第二氧化物薄膜,所述的第一势垒层的厚度为50~200nm。
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