[发明专利]一种非极性阻变存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 201310145858.2 | 申请日： | 2013-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN103236498A | 公开（公告）日： | 2013-08-07 |
| 发明（设计）人： | 许积文;王华;周尚菊;杨玲;丘伟;张玉佩 | 申请（专利权）人： | 桂林电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C11/56 |
| 代理公司： | 桂林市华杰专利商标事务所有限责任公司 45112 | 代理人： | 滕杰锋 |
| 地址： | 541004 广西*** | 国省代码： | 广西;45 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种非极性阻变存储器及其制备方法，包括导电衬底兼下电极、阻变存储介质、金属上电极。导电衬底材料为p+型硅片衬底，阻变存储介质薄膜为ZnMn2O4及其掺杂物，掺杂元素包括Y、Sc、Mg、Si、Sn和In，厚度为20nm到1200nm。金属上电极材料包括Al、Ag、Au、Cu、Ni、Pt和Ti，其厚度为50nm到200nm。本发明的优点是：同一种结构的阻变存储器同时具备双极性和单极性的存储特性。根据不同极性的阻变存储特性，可扩展阻变存储器的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 极性 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种非极性阻变存储器，包括从下至上叠接的导电衬底兼下电极，阻变存储介质及在存储介质上的金属上电极三层结构，其特征在于，所述阻变存储器同时具备双极性和单极性的阻变行为，即非极性存储行为，阻变存储介质为ZnMn2O4及其掺杂物。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于桂林电子科技大学，未经桂林电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310145858.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用双金刚石涂层涂布微机械零件的方法
- 下一篇：起子培养物组合物
