[发明专利]栅极侧壁层的形成方法

摘要

本申请公开了一种栅极侧壁层的形成方法。该形成方法包括以下步骤在半导体衬底上形成上表面具有掩膜层的核心结构，刻蚀去除掩膜层;在半导体衬底上沉积侧壁层;刻蚀去除核心结构，形成栅极侧壁层。由于在栅极侧壁层沉积之前就将位于核心结构顶部的掩膜层刻蚀去除，所以不需要在侧壁层形成后再对掩膜层刻蚀，也就避免了现有技术中存在的对掩膜层的刻蚀过程中对栅极侧壁层造成的损伤，使得形成的侧壁层保持有较好的高度。

主权项

一种栅极侧壁层的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，在半导体衬底上形成上表面具有掩膜层的核心结构后，刻蚀去除所述掩膜层；S2，在所述半导体衬底及所述核心结构上沉积侧壁层；S3，刻蚀去除所述核心结构上表面及所述半导体衬底上的侧壁层后，刻蚀去除所述核心结构，形成所述栅极侧壁层；所述步骤S1具体包括如下步骤：在所述半导体衬底上依次形成牺牲层及图案化的掩膜层；在所述掩膜层的遮蔽下刻蚀所述牺牲层，形成上表面覆盖有所述掩膜层的所述核心结构，且相邻的两个所述核心结构之间留有残余牺牲层；刻蚀去除所述掩膜层的同时刻蚀去除所述残余牺牲层，或刻蚀去除所述掩膜层的同时刻蚀去除部分所述残余牺牲层，然后刻蚀去除剩余部分的所述残余牺牲层。