[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、电子装置有效
| 申请号： | 201310143732.1 | 申请日： | 2013-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN103236442A | 公开（公告）日： | 2013-08-07 |
| 发明（设计）人： | 孙拓 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/12;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种薄膜晶体管及其制造方法，包括该薄膜晶体管的阵列基板，以及包括该薄膜晶体管或设有该阵列基板的电子装置，属于显示技术领域。解决了现有技术难以将半导体纳米材料应用到显示领域中的技术问题。该薄膜晶体管包括：栅极、栅极绝缘层、有源层、源极和漏极，所述有源层由包括半导体纳米材料和光刻材料的混合物形成。该薄膜晶体管的制造方法，包括：制备包括半导体纳米材料与光刻材料的混合物；将所述混合物涂覆于基板之上，经曝光、显影，形成图案化的有源层。本发明可应用于主动矩阵液晶显示器或有源矩阵有机发光二极体面板。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 阵列 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括：栅极、栅极绝缘层、有源层、源极和漏极，其特征在于，所述有源层由包括半导体纳米材料和光刻材料的混合物形成。
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