[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、电子装置有效
| 申请号： | 201310143732.1 | 申请日： | 2013-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN103236442A | 公开（公告）日： | 2013-08-07 |
| 发明（设计）人： | 孙拓 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/12;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 阵列 电子 装置 | ||
1.一种薄膜晶体管，包括：栅极、栅极绝缘层、有源层、源极和漏极，其特征在于，所述有源层由包括半导体纳米材料和光刻材料的混合物形成。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述半导体纳米材料包括半导体纳米线、半导体碳纳米管或半导体纳米级石墨烯中一种或几种。
3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述半导体纳米线的材料为硫化镉、氧化锌、硅、镉、氮化镓、磷化铟中的一种或几种。
4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述光刻材料为电子束光刻胶聚甲基丙烯酸甲酯或光敏性聚酰亚胺。
5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述混合物还包括溶剂，所述半导体纳米材料在所述混合物中的含量为1mg/mL至50mg/mL。
6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述半导体纳米材料与所述光刻材料的质量比为1:5至1:250。
7.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括如权利要求1-6任一项所述的薄膜晶体管。
8.一种电子装置，其特征在于，所述电子装置包括如权利要求1-6任一项所述的薄膜晶体管。
9.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括：
制备包括半导体纳米材料与光刻材料的混合物；
将所述混合物涂覆于基板之上，经曝光、显影，形成图案化的有源层。
10.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，制备所述混合物的方法包括：
将半导体纳米材料、光刻材料和溶剂混合，通过搅拌或超声波的方法混合均匀；
或者，将半导体纳米材料预先分散于溶剂中，然后将混有纳米材料的溶剂与光刻材料混合均匀。
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