[发明专利]栅极侧壁层的形成方法

摘要

本申请公开了一种栅极侧壁层的形成方法。该形成方法包括以下步骤在半导体衬底上形成核心结构，核心结构的上表面具有掩膜层；在半导体衬底上沉积侧壁层，并刻蚀侧壁层使得侧壁层位于核心结构的两侧；在半导体衬底上沉积形成牺牲层，并对牺牲层进行刻蚀直至露出掩膜层的上表面；选择性刻蚀去除掩膜层；以及去除牺牲层及核心结构，形成栅极侧壁层。由于在掩膜层的刻蚀去除过程中，半导体衬底及侧壁层的上表面均覆盖有牺牲层，所以在刻蚀过程中不会对半导体衬底及侧壁层造成损伤，也就避免了现有技术中存在的侧壁层高度降低，在去除侧壁层中间的牺牲层后出现半导体衬底位于侧壁层两侧的刻蚀深度呈奇偶不同、深度不均一的情况。

主权项

一种栅极侧壁层的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：在半导体衬底上形成核心结构，所述核心结构的上表面具有掩膜层；沉积侧壁层后，刻蚀去除所述核心结构上表面及衬底上的侧壁层；沉积形成牺牲层，并对所述牺牲层进行刻蚀直至露出所述掩膜层的上表面；刻蚀去除所述掩膜层，在所述掩膜层的刻蚀去除过程中，所述侧壁层的上表面覆盖有牺牲层；以及刻蚀去除所述牺牲层及所述核心结构，形成所述栅极侧壁层。