[发明专利]一种阵列基板、制备方法以及液晶显示装置有效

专利信息
申请号: 201310136326.2 申请日: 2013-04-18
公开(公告)号: CN103217840A 公开(公告)日: 2013-07-24
发明(设计)人: 赵海廷 申请(专利权)人: 合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
主分类号: G02F1/1343 分类号: G02F1/1343;G02F1/1345;G02F1/1333;G02F1/13
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 彭瑞欣;陈源
地址: 230011 安*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明属于显示技术领域,具体涉及一种阵列基板、制备方法以及液晶显示装置。一种阵列基板,包括基板以及设置于所述基板上的多个子像素单元,所述子像素单元包括薄膜晶体管、像素电极、公共电极和钝化层,所述薄膜晶体管包括有源层、栅电极、源电极及漏电极,所述漏电极与所述像素电极电连接,所述钝化层覆盖所述源电极、漏电极和像素电极,所述子像素单元还包括与所述像素电极电连接,且在所述子像素单元的表面裸露的测试电极。该阵列基板通过测试电极,将处于内层的像素电极的信号直接引到了子像素单元的最上层,可以很方便地测试TFT的电学性能;同时,还可以将因TFT不良而引起的亮点转化为暗点,提升液晶显示面板的品质等级。
搜索关键词: 一种 阵列 制备 方法 以及 液晶 显示装置
【主权项】:
一种阵列基板,包括基板以及设置于所述基板上的多个子像素单元,所述子像素单元包括薄膜晶体管、像素电极、公共电极和钝化层,所述薄膜晶体管包括有源层、栅电极、源电极及漏电极,所述漏电极与所述像素电极电连接,所述钝化层覆盖所述源电极、漏电极和像素电极,其特征在于,所述子像素单元还包括与所述像素电极电连接,且在所述子像素单元的表面裸露的测试电极。
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