[发明专利]太阳能电池及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201310133205.2 申请日: 2013-04-17
公开(公告)号: CN104112789A 公开(公告)日: 2014-10-22
发明(设计)人: 林建宏;高武羣;程立伟;蒋天福 申请(专利权)人: 联景光电股份有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/0352;H01L31/0224
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 臧建明
地址: 中国台湾桃园县*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明提供一种太阳能电池及其制造方法,其中所述的制造方法包括以下步骤:在基板的第一表面上形成保护层;在基板的第二表面上形成钝化层;在钝化层上形成至少一第一型半导体图案以及至少一第二型半导体图案,其中第一型半导体图案与第二型半导体图案共平面且彼此邻接;在第一型半导体图案与第二型半导体图案的交界处形成沟渠,以使第一型半导体图案及第二型半导体图案彼此电性绝缘;在第一型半导体图案与第二型半导体图案上形成种子层,且种子层的导电率大于9×105S/m;在种子层上形成电极层。
搜索关键词: 太阳能电池 及其 制造 方法
【主权项】:
一种太阳能电池的制造方法,其特征在于,包括:在一基板的一第一表面上形成一保护层;在该基板的一第二表面上形成一钝化层;在该钝化层上形成至少一第一型半导体图案以及至少一第二型半导体图案,其中该第一型半导体图案与该第二型半导体图案共平面且彼此邻接;在该第一型半导体图案与该第二型半导体图案的交界处形成一沟渠,以使该第一型半导体图案及该第二型半导体图案彼此电性绝缘;在该第一型半导体图案与该第二型半导体图案上形成一种子层,且该种子层的导电率大于9×105S/m;以及在该种子层上形成一电极层。
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