[发明专利]凹凸化硅基板的制造方法、处理装置和太阳能电池元件的制造方法无效
| 申请号： | 201310128541.8 | 申请日： | 2013-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN103377878A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 松本纪久 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 李英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在使用碱性的蚀刻液的太阳能电池基板的凹凸结构的制造中，与蚀刻液的使用经历无关，硅基板的蚀刻速率稳定，稳定地并且均一性良好地制造一定的凹凸形状。使用如下制造方法，其包括：将含有添加剂的碱性的蚀刻液5用设置于循环管线的管线加热器加热的工序，将直径1μm～1mm的氢气散气注入蚀刻液5的工序，和将硅基板4浸渍于处理槽1内的蚀刻液5的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 凹凸 化硅基板 制造 方法 处理 装置 太阳能电池 元件 | ||
【主权项】：
凹凸化硅基板的制造方法，其特征在于，包括：将碱性的蚀刻液边用设置于与进行蚀刻处理的处理槽连接的循环管线的管线加热器加热边循环，同时向上述处理槽内的上述蚀刻液中供给直径1μm～1mm的氢气泡的工序，将硅基板浸渍于上述处理槽内的上述蚀刻液，在上述硅基板的表面形成凹凸结构的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
