[发明专利]一种制备钨通孔的方法

摘要

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种制备钨通孔的方法，通过采用氮化硅膜作为金属钨研磨工艺的停止层，以代替传统工艺中的氧化硅膜，由于在研磨工艺中氮化硅膜相对氧化硅具有更高研磨选择比，在完成钨金属研磨工艺后，使得晶圆的表面的厚度具有较好的均匀性，并通过后续高选择比湿法刻蚀工艺，将在钨金属研磨中产生的缺陷如晶圆表面的微划伤、残留的微粒等及剩余的氮化硅膜完全去除，使得在不同密度通孔区域形成的钨栓突出高度近似，便于后续工艺的进行，进而提高产品的良率。

主权项

一种制备钨通孔的方法，其特征在于，包括以下步骤：于一半导体结构上沉积一氮化物膜，所述氮化物膜覆盖所述半导体结构的上表面；依次采用光刻、刻蚀工艺，回蚀所述氮化物膜至所述半导体结构中，于剩余的氮化物膜和剩余的半导体结构中形成多个通孔；制备粘着层和钨金属层充满所述通孔，并覆盖所述剩余的氮化物膜；继续研磨工艺，部分去除所述粘着层、钨金属层和所述剩余的氮化物膜；去除残余的氮化物膜，形成多个钨栓。