[发明专利]一种含锆镁合金牺牲阳极材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201310119195.7 申请日: 2013-04-08
公开(公告)号: CN103205762A 公开(公告)日: 2013-07-17
发明(设计)人: 郝杰;卢发海;胡光山;张丁非;余大亮;蒋璐瑶;郭非;郭瑞峰;魏新磊 申请(专利权)人: 鹤壁万德芙镁科技有限公司;重庆大学
主分类号: C23F13/14 分类号: C23F13/14;C22C23/00;B22D18/04
代理公司: 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 代理人: 赵荣之
地址: 458030 河南省鹤壁市*** 国省代码: 河南;41
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摘要: 发明公开了一种含锆镁合金牺牲阳极材料及其制备方法,所述含锆镁合金牺牲阳极材料按质量百分比计由以下组分组成:锆0.03%~0.07%,锰0.5%~1.3%,硅≤0.05%,杂质:单个≤0.05%,总量≤0.3%,其余为镁;其制备方法为:按照质量百分比选取工业纯镁和工业纯二氯化锰,混合加热到775~785℃使其全部熔化,静置降温到750~760℃,加入相应质量百分比的镁锆中间合金,使其熔化并搅拌均匀,将所得熔液按低压铸造方式进行铸造,得到含锆镁合金。本新型镁合金牺牲阳极材料通过加入锆减少原材料中镁硅相的含量,使镁合金牺牲阳极材料消耗均匀、寿命长,采用本方法制备上述阳极材料工艺简单、铸件缺陷少。
搜索关键词: 一种 镁合金 牺牲 阳极 材料 及其 制备 方法
【主权项】:
一种含锆镁合金牺牲阳极材料,其特征在于:所述含锆镁合金牺牲阳极材料按质量百分比计由以下组分组成:锆:0.03%~0.07%,锰:0.5%~1.3%,硅:≤0.05%,杂质:单个≤0.05%,总量≤0.3%,其余为镁。
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