[发明专利]一种含锆镁合金牺牲阳极材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201310119195.7 申请日: 2013-04-08
公开(公告)号: CN103205762A 公开(公告)日: 2013-07-17
发明(设计)人: 郝杰;卢发海;胡光山;张丁非;余大亮;蒋璐瑶;郭非;郭瑞峰;魏新磊 申请(专利权)人: 鹤壁万德芙镁科技有限公司;重庆大学
主分类号: C23F13/14 分类号: C23F13/14;C22C23/00;B22D18/04
代理公司: 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 代理人: 赵荣之
地址: 458030 河南省鹤壁市*** 国省代码: 河南;41
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摘要:
搜索关键词: 一种 镁合金 牺牲 阳极 材料 及其 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种镁合金及其制备方法,特别涉及一种牺牲阳极镁合金及其制备方法。

背景技术

金属材料的腐蚀造成的损失巨大,对金属材料进行腐蚀防护,提高其耐腐蚀性能具有重要意义。镁合金的电化学性能较好,常被用作牺牲阳极材料,对设备装置的阴极进行保护,以延长阴极材料的使用寿命。

但是,普通镁合金都含有一定量的杂质硅,而硅电位较高,容易引起寄生腐蚀,使镁合金阳极腐蚀效率降低,硅与镁形成镁二硅相,并以网状分布于晶界,容易与镁基体形成的微电池,加速牺牲阳极材料的消耗,并使阳极消耗不均匀,影响牺牲阳极材料的使用寿命和利用率。

发明内容

针对现行镁合金材料存在的问题,本发明的目的是提供一种电流效率更高,阳极消耗均匀、使用率高、寿命长的牺牲阳极镁合金。

一种含锆镁合金牺牲阳极材料,所述含锆镁合金牺牲阳极材料按质量百分比计由以下组分组成:

锆:0.03%~0.07%,

锰:0.5%~1.3%,

硅:≤0.05%,

杂质:单个≤0.05%,总量≤0.3%

其余为镁。

作为本方案的改进,所述含锆镁合金牺牲阳极材料按质量百分比计由以下组分组成:

锆:0.05%,

锰:0.8%,

硅:≤0.05%,

杂质:单个≤0.05%,总量≤0.3%

其余为镁。

作为本方案的进一步改进,所述含锆镁合金牺牲阳极材料中锆与硅质量比为5~10:1。

本发明还提供一种工艺简单、低成本、高质量制备上述牺牲阳极材料的方法。

一种制备所述含锆镁合金牺牲阳极材料的方法,按照质量百分比选取工业纯镁和工业纯二氯化锰,混合加热到775~785℃使其全部熔化,静置降温到750~760℃,加入相应质量百分比的镁锆中间合金,使其熔化并搅拌均匀,将所得熔液按照低压铸造方式进行铸造,得到铸态含锆镁合金。

作为本方案的改进,所述制备含锆镁合金牺牲阳极材料的方法,所述低压铸造采用SF6气体给镁合金液施加压力。

本发明的有益效果在于:普通镁合金及工业纯镁中都含有一定量的杂质硅,硅电位较高,容易引起寄生腐蚀,硅与镁形成Mg2Si相,以网状分布于晶界,容易与镁基体形成的微电池,加速牺牲阳极材料的消耗,并使阳极消耗不均匀;在合金中加入一定量的锆可以与基体中的Si形成ZrSi2、β~ZrSi和α~ZrSi等平衡中间相,而这些中间相易于从熔液中去除,从而合金中硅及Mg2Si的含量,减少寄生腐蚀,使镁合金牺牲阳极材料消耗均匀、使用率高、寿命长;采用低压铸造可以提高材料利用率,并减少铸件内部缺陷,提高铸造制备效率。

具体实施方式

“含锆镁合金阳极牺牲材料”总的开发设计构思是:通过调整各协同作用的化学元素及其比例从而获得一种消耗均匀、使用率高、寿命长的镁合金牺牲阳极材料。

实施例一:本实施方式中锆的质量百分比为0.05%,杂质硅质量百分比≤0.05%,锰的质量百分比为0.8%,其余除偶存杂质外为镁。

首先取980kg工业纯镁、20kg工业纯MnCl2在电阻坩埚炉中加热到780℃,全部熔化后静置一段时间,待温度降为755℃,加入含锆25~30%镁锆中间合金2kg,边加边搅拌均匀,待全部熔化后搅拌1~2分钟。然后采用半连续减压铸造方式铸造上述镁合金熔液:铸造时采用顶注式浇铸系统进行浇铸,并用SF6气体对坩埚内镁合金液进行减压。

实施例二:本实施例与实施例一的区别在于,本实施例中锆的质量百分比为0.042%,制备含锆镁合金牺牲阳极材料时所加入的含锆25~30%镁锆中间合金质量为1.6kg。

实施例三:本实施例区别在于,本实施例中锆的质量百分比为0.044%,制备含锆镁合金牺牲阳极材料时所加入的含锆25~30%镁锆中间合金质量为1.6kg。

实施例四:本实施例区别在于,本实施例中锆的质量百分比为0.038%,制备含锆镁合金牺牲阳极材料时所加入的含锆25~30%镁锆中间合金质量为1.52kg。

实施例五:本实施例区别在于,本实施例中锆的质量百分比为0.049%,制备含锆镁合金牺牲阳极材料时所加入的含锆25~30%镁锆中间合金质量为1.9kg。

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