[发明专利]一种与Mg-Si-Sn基热电元件相匹配的电极及其连接工艺有效
| 申请号： | 201310112421.9 | 申请日： | 2013-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN103219456A | 公开（公告）日： | 2013-07-24 |
| 发明（设计）人： | 唐新峰;陈耿;柳伟;张强 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | H01L35/20 | 分类号： | H01L35/20;H01L35/34 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 唐万荣 |
| 地址： | 430070 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种与Mg-Si-Sn基热电元件相匹配的电极及其连接工艺，所述的电极为Ni-Al合金与金属单质Al的混合物，其中金属单质Al的质量百分含量为30%-50%，余量为Ni-Al合金。本发明所述电极与热电材料界面结合良好，可靠性好且工艺操作简便，并且由于电极与热电材料良好的热匹配将最大程度的减小界面处热应力的产生，有助于使用寿命的提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mg si sn 热电 元件 匹配 电极 及其 连接 工艺 | ||
【主权项】：
一种与Mg‑Si‑Sn基热电元件相匹配的电极，其特征在于所述的电极为Ni‑Al合金与金属单质Al的混合物，其中金属单质Al的质量百分含量为30%‑50%，余量为Ni‑Al合金。
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