[发明专利]一种与Mg-Si-Sn基热电元件相匹配的电极及其连接工艺有效

专利信息
申请号: 201310112421.9 申请日: 2013-04-02
公开(公告)号: CN103219456A 公开(公告)日: 2013-07-24
发明(设计)人: 唐新峰;陈耿;柳伟;张强 申请(专利权)人: 武汉理工大学
主分类号: H01L35/20 分类号: H01L35/20;H01L35/34
代理公司: 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 代理人: 唐万荣
地址: 430070 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 mg si sn 热电 元件 匹配 电极 及其 连接 工艺
【权利要求书】:

1.一种与Mg-Si-Sn基热电元件相匹配的电极,其特征在于所述的电极为Ni-Al合金与金属单质Al的混合物,其中金属单质Al的质量百分含量为30%-50%,余量为Ni-Al合金。

2.根据权利要求1所述的一种与Mg-Si-Sn基热电元件相匹配的电极,其特征在于所述金属单质Al的质量百分含量为40%,余量为Ni-Al合金。

3.根据权利要求1或2所述的一种与Mg-Si-Sn基热电元件相匹配的电极,其特征在于所述的Ni-Al合金中Ni的质量百分含量为47%,其余为Al。

4.根据权利要求1、2或3所述的一种与Mg-Si-Sn基热电元件相匹配的电极,其特征在于所述的电极厚度为1-4mm。

5.根据权利要求1-4任意一项所述的电极与热电元件的连接工艺,其特征在于所述的电极与热电元件通过放电等离子烧结连接。

6.根据权利要求5所述的电极与热电元件的连接工艺,其特征在于所述的放电等离子烧结连接的具体工艺步骤为:

1)将固相反应法制得的Mg-Si-Sn粉末进行第一步放电等离子烧结,得到致密的Mg-Si-Sn块体;

2)步骤1)所得致密的Mg-Si-Sn块体的上下表面进行打磨、超声处理,清除表面杂质;

3)按照金属单质Al粉的质量百分含量为30%-50%,余量为Ni-Al合金粉的比例,将Ni-Al合金粉与金属单质Al粉分别过筛处理,并混合均匀,得到电极材料粉末;

4)将电极材料粉末均匀的铺在模具中,然后放入经步骤2)处理后的Mg-Si-Sn块体材料,再均匀铺上一层电极材料粉末;

5)将步骤4)装样完毕的模具进行第二步放电等离子烧结。

7.根据权利要求6所述的电极与热电元件的连接工艺,其特征在于所述的步骤1)放电等离子烧结的真空度为20-30Pa,烧结压力为30MPa,烧结温度为650-700℃。

8.根据权利要求6所述的电极与热电元件的连接工艺,其特征在于所述的步骤5)中放电等离子烧结的真空度为20-30Pa,烧结的温度540-560℃,升温速度为50-100℃/min,降温速度为15-20℃/min。

9.根据权利要求6所述的电极与热电元件的连接工艺,其特征在于所述的步骤5)中烧结压力为5-15MPa,烧结温度升到500℃开始加压,加压速度为5MPa/min。 

10.根据权利要求6所述的电极与热电元件的连接工艺,其特征在于所述的步骤5)中,放电等离子烧结的保温时间为5-10min。

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