[发明专利]一种太阳能电池减反结构及其制备方法有效
申请号: | 201310110039.4 | 申请日: | 2013-03-28 |
公开(公告)号: | CN103199123A | 公开(公告)日: | 2013-07-10 |
发明(设计)人: | 丁建宁;陈双林;袁宁一;夏丽;杨静 | 申请(专利权)人: | 常州大学 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/18 |
代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人: | 楼高潮 |
地址: | 213164 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种太阳能电池减反结构及其制备方法,特指以红玫瑰花瓣为生物模板,制备均匀分布的单层氧化硅纳米颗粒阵列,再利用原子层沉积和斜角沉积技术(oblique-angledepositon)在颗粒表面制备立方型梯度折射率结构—折射率轮廓曲线(index-profilecurve)(折射率随着多层结构的变化)为3次幂(cubic)的折射率梯度变化的减反膜(graded-refractiveindex-layer),用于提高电池效率,降低电池成本,属于太阳电池制造领域。 | ||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池减反结构,包括硅片,其特征在于:所述硅片上均匀铺有氧化硅微球阵列,氧化硅微球阵列上设有利用原子层沉积和斜角沉积技术制备的3次幂的立方型梯度折射率结构,立方型梯度折射率结构从外至里依次为氧化硅纳米棒层、氧化铝层和氧化钛层,其中各层的膜厚以及材料折射率数值满足全向减反射原则,即n0 ns‑0.2≤(n1 n3/n2 )2≤n0 ns+0.2,其中n1、n2 、n3分别为从外至里三层膜材料折射率,ns为氧化硅球折射率,n0为空气折射率;n1为倾斜角度为45°的氧化硅纳米棒层的折射率;n2为氧化铝层的折射率,n3为氧化钛层的折射率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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