[发明专利]提高轻掺杂漏极注入位置准确性的方法在审
| 申请号： | 201310108536.0 | 申请日： | 2013-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN104078338A | 公开（公告）日： | 2014-10-01 |
| 发明（设计）人： | 李健 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/266 | 分类号： | H01L21/266;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种提高轻掺杂漏极注入位置准确性的方法，包括下列步骤：在晶圆上淀积多晶硅；在所述多晶硅上涂覆光刻胶，使用第一光刻掩膜版进行曝光和显影后对所述多晶硅进行刻蚀，形成第一栅极；对所述晶圆进行第一器件区的轻掺杂漏极离子注入；去除所述光刻胶。本发明高压器件区栅极和高压器件区的LDD注入图形之间不会产生相对偏移，因此提高了轻掺杂漏极注入位置的准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 掺杂 注入 位置 准确性 方法 | ||
【主权项】：
一种提高轻掺杂漏极注入位置准确性的方法，包括下列步骤：在晶圆上淀积多晶硅；在所述多晶硅上涂覆光刻胶，使用第一光刻掩膜版进行曝光和显影后对所述多晶硅进行刻蚀，形成第一栅极；对所述晶圆进行第一器件区的轻掺杂漏极离子注入；去除所述光刻胶。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡华润上华科技有限公司，未经无锡华润上华科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310108536.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：鳍式场效应晶体管的形成方法
- 下一篇：成膜装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
