[发明专利]半导体装置制造用掩片以及半导体装置的制造方法无效
| 申请号： | 201310105556.2 | 申请日： | 2013-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN103360973A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 山井敦史;堀家孝之;森孝広;市川贵胜;山田裕美;町井悟 | 申请（专利权）人： | 株式会社巴川制纸所 |
| 主分类号： | C09J7/02 | 分类号： | C09J7/02;C09J179/08;C09J163/00;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置制造用掩片和半导体装置的制造方法。作为掩片，一直在寻求如下这样的掩片：在比热可塑性掩片低的温度下能够向L/F缠绕(taping)，即使暴露于高温，也不易发生像在剥离掩片时引起粘合剂残留这样的热劣化，具有平面性，翘曲小，在高温下比现有的粘合掩片硬，W/B性优异，与粘合掩片相比，在密封时成型树脂泄漏少，即使经过等离子体清洗工艺，由于轻剥离性，粘合剂残留也少。本发明是一种在基材层的一个面上层积热固化型粘结剂层使该半导体装置制造用掩片可剥离地粘贴在金属板上的半导体装置制造用掩片，该热固化型粘结剂层含有玻璃转化温度为45℃～170℃且含有硅氧烷骨架的聚酰亚胺树脂、环氧树脂、固化剂以及氟添加剂。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 用掩片 以及 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置制造用掩片，其中，在基材层的一个面上层积热固化型粘结剂层，该半导体装置制造用掩片可剥离地粘贴在金属板上，其特征在于，该热固化型粘结剂层含有玻璃转化温度为45℃～170℃且含有硅氧烷骨架的聚酰亚胺树脂、环氧树脂、固化剂以及氟添加剂。
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