[发明专利]一种具有埋入式孔洞结构的氮化物底层及其制备方法

摘要

本发明提供一种具有埋入式微孔洞结构的氮化物底层，用于外延生长制备高外量子效率的氮化镓基发光二极管，同时揭示一种形成埋入式微孔洞结构底层的制备方法。具体步骤包括：1）制备具有不同生长速率晶面的图形衬底；2）在所述衬底上采用金属有机化学气相沉积技术（MOCVD）或者分子束外延技术（MBE）生长氮化物成核层；3）采用所述沉积技术在准二维生长条件下外延生长氮化物层；4）采用三维外延生长条件，外延生长三维氮化物层；5）采用二维生长条件外延生长氮化镓层。本发明避免了为形成孔洞结构而需要采用的复杂芯片工艺，解决了采用芯片工艺对芯片可靠性的影响，有效减小孔洞结构的尺寸，增加器件稳定性和抗压可靠性。

主权项

一种具有埋入式孔洞结构的氮化物底层的制备方法，包括步骤：提供一图形衬底，其具有不同生长速率的晶面；在所述图形衬底上生长氮化物成核层；采用准二维生长条件，在所述氮化物成核层上形成第一氮化物层；采用三维生长条件，在所述第一氮化物层上形成第二氮化物层，其与所述衬底之间具有空隙；采用二维生长条件，在所述三维氮化镓层上继续生长第三氮化物层，在所述空隙上方合拢成一无裂缝平面，从而在氮化物底层形成孔洞结构；其中准二维生长条件是指横、纵向生长速率之比介于二维生长和三维生长条件之间。