[发明专利]内容可寻址存储器芯片有效
申请号: | 201310102743.5 | 申请日: | 2013-03-27 |
公开(公告)号: | CN103366808B | 公开(公告)日: | 2017-07-14 |
发明(设计)人: | 岸田正信 | 申请(专利权)人: | 瑞萨电子株式会社 |
主分类号: | G11C15/04 | 分类号: | G11C15/04 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人: | 李兰,孙志湧 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明公开了一种内容可寻址存储器芯片。具体地,提供了能够以低误差执行高速搜索的内容可寻址存储器芯片。匹配放大器区根据匹配线的电压来确定搜索数据与CAM单元阵列的条目中的内容可寻址存储器单元中存储的数据的一致或不一致。匹配放大器区包括一个或多个NMOS晶体管以及一个或多个PMOS晶体管。匹配放大器区具有匹配线的电压的输入的死区,并且具有在匹配放大器区中不存在贯通电流的属性。 | ||
搜索关键词: | 内容 寻址 存储器 芯片 | ||
【主权项】:
一种内容可寻址存储器芯片,包括:存储器阵列,所述存储器阵列具有以矩阵布置的内容可寻址存储器单元;多个匹配线,所述多个匹配线中的每一个与属于所述存储器阵列的相应条目的多个内容可寻址存储器单元耦合;以及多个匹配放大器,所述多个匹配放大器中的每一个可操作为根据所述匹配线中的相应一个的电压来确定搜索数据与所述存储器阵列的条目中的所述内容可寻址存储器单元中的存储数据一致和不一致中的一个,其中,所述匹配放大器中的每一个包括:一个或多个NMOS晶体管以及一个或多个PMOS晶体管,并且其中,所述匹配放大器中的每一个对于所述匹配线中的相应一个的电压的输入具有死区,并且具有在所述匹配放大器的每一个中不存在贯通电流的属性。
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