[发明专利]NMOS和PMOS器件结构及设计方法无效
| 申请号： | 201310098874.0 | 申请日： | 2013-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN103151385A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 卜建辉;毕津顺;罗家俊;韩郑生 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人： | 朱海波;何平 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了NMOS和PMOS器件结构及设计方法。NMOS器件结构中垂直沟道方向的STI宽度具有最小设计规则尺寸；延沟道方向的STI宽度也具有最小设计规则尺寸。PMOS器件结构中垂直沟道方向的STI宽度具有最小设计规则尺寸；延沟道方向的STI宽度在最小设计规则尺寸的4到7倍之间。 | ||
| 搜索关键词： | nmos pmos 器件 结构 设计 方法 | ||
【主权项】：
一种NMOS器件结构，其中：垂直沟道方向的STI宽度具有最小设计规则尺寸；延沟道方向的STI宽度也具有最小设计规则尺寸。
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