[发明专利]反应腔室以及等离子体加工设备有效
申请号: | 201310097011.1 | 申请日: | 2013-03-25 |
公开(公告)号: | CN104073783B | 公开(公告)日: | 2017-07-04 |
发明(设计)人: | 周卫国 | 申请(专利权)人: | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
主分类号: | C23C16/52 | 分类号: | C23C16/52 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人: | 彭瑞欣,张天舒 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种反应腔室以及等离子体加工设备,其包括沿其轴向间隔设置的多层托盘以及检测单元,在每层托盘的上表面形成有未被所有的位于其上方的托盘覆盖的检测位置,多层托盘的检测位置与反应腔室的中心线之间的水平间距由下而上逐渐减小,置于每层托盘上的被加工工件的下表面的部分区域与其所在托盘的检测位置重叠;检测单元用于检测部分区域叠置在检测位置上的被加工工件的温度和/或薄膜厚度。本发明提供的反应腔室,其可以同时对不同托盘上的被加工工件的温度和/或薄膜沉积厚度进行实时检测,从而可以根据检测结果及时地对设备进行相应的调试,以改善被加工工件的温度均匀性和/或薄膜沉积厚度的均匀性。 | ||
搜索关键词: | 反应 以及 等离子体 加工 设备 | ||
【主权项】:
一种反应腔室,在所述反应腔室内设置有沿竖直方向间隔设置的多层托盘,每层所述托盘承载有多个被加工工件,其特征在于,在每层所述托盘的上表面上形成有未被所有的位于其上方的所述托盘覆盖的检测位置,所述多层托盘的检测位置与所述反应腔室在竖直方向上的中心线之间的水平间距由下而上逐渐减小;在所述多层托盘中的最上层托盘的上方,且与每层所述托盘的检测位置相对应的位置处设置有检测单元,用以检测设置在每层托盘上,且部分区域叠置在所述检测位置上的被加工工件的温度和/或薄膜厚度;所述反应腔室还包括进气装置,所述进气装置自下而上贯穿所述多层托盘,且包括用于向所述反应腔室内输送工艺气体的第一进气口,所述第一进气口位于相邻的两层托盘之间,并且各个所述第一进气口和相邻的且位于其下方的所述托盘的检测位置之间的水平间距相等,所述第一进气口的端部与反应腔室的轴线之间的水平间距逐渐减小;所述反应腔室还包括透明的环形内壁,所述环形内壁设置在所述反应腔室的腔室侧壁内侧,且位于所述多层托盘的外围,并且在所述环形内壁上且位于相邻的两层托盘之间设置有排气口,并且各个所述排气口和相邻的且位于其下方的所述托盘的检测位置之间的水平间距相等;所述反应腔室还包括感应线圈,其环绕所述反应腔室的腔室侧壁的外侧设置,用以采用感应加热的方式加热所述多层托盘,并且所述感应线圈与各层所述托盘的检测位置之间的水平间距相等;所述腔室侧壁采用石英制作。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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