[发明专利]一种发光二极管绝缘层的制备方法有效
| 申请号： | 201310095938.1 | 申请日： | 2013-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN104064632A | 公开（公告）日： | 2014-09-24 |
| 发明（设计）人： | 朱广敏;郝茂盛;齐胜利;张楠;陈耀;杨杰 | 申请（专利权）人： | 上海蓝光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种发光二极管绝缘层的制备方法，包括：1）于透明基板正面形成包括N型层、量子阱层及P型层的发光外延结构；2）形成贯穿至所述透明基板一预设深度的V型槽；3）通过光刻及刻蚀工艺形成N型层平台；4）形成覆盖于所述V型槽及N型层平台表面的金属层结构；5）于所述V型槽内填充光敏绝缘材料；6）从所述透明基板的背面进行曝光及显影，去除没有被所述金属层结构遮挡的光敏绝缘材料；7）对金属层结构表面的光敏绝缘材料进行回流及高温碳化处理形成绝缘层。本发明提供了一种新型的沟槽型的电极结构，并提供了一种有效制备绝缘层的方法，步骤简单，有利于节省成本，并可有效提高发光二极管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 绝缘 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管绝缘层的制备方法，其特征在于，所述制备方法至少包括以下步骤：1）提供一透明基板，于所述透明基板正面形成至少包括N型层、量子阱层及P型层的发光外延结构；2）于所述发光外延结构及所述透明基板中形成贯穿至所述透明基板一预设深度的V型槽；3）刻蚀所述V型槽两侧的P型层、量子阱层及部分的N型层形成N型层平台；4）形成覆盖于所述V型槽及N型层平台表面的金属层结构；5）于所述V型槽内填充光敏绝缘材料；6）从所述透明基板的背面对上述结构进行曝光及显影工艺，去除没有被所述金属层结构遮挡的光敏绝缘材料，并保留金属层结构表面的光敏绝缘材料；7）对金属层结构表面的光敏绝缘材料进行回流及高温碳化处理，以完成绝缘层的制备。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海蓝光科技有限公司，未经上海蓝光科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310095938.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
