[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201310095065.4 | 申请日： | 2013-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN103326699A | 公开（公告）日： | 2013-09-25 |
| 发明（设计）人： | 竹前义博 | 申请（专利权）人： | 富士通半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/567 | 分类号： | H03K17/567 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张浴月;李玉锁 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包括：第一场效应晶体管（31），具有被赋予第一电位的一个端子；第二场效应晶体管（32），具有被赋予小于第一电位的第二电位的一个端子；控制器（1），控制第一场效应晶体管和第二场效应晶体管的每一个控制端子的每一个电位；电容元件（4），具有连接至第一场效应晶体管的控制端子的一端，该电容元件通过控制器的控制来充电；以及负载元件（5），连接在第一场效应晶体管的另一个端子与第二场效应晶体管的另一个端子之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于包括：第一场效应晶体管，具有被赋予第一电位的一个端子；第二场效应晶体管，具有被赋予小于所述第一电位的第二电位的一个端子；控制器，控制所述第一场效应晶体管和所述第二场效应晶体管的每一个控制端子的每一个电位；电容元件，具有连接至所述第一场效应晶体管的所述控制端子的一端，所述电容元件通过所述控制器的控制来充电；以及负载元件，连接在所述第一场效应晶体管的另一个端子与所述第二场效应晶体管的另一个端子之间。
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