[发明专利]检测研磨工艺负载效应的方法有效
| 申请号： | 201310082029.4 | 申请日： | 2013-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN103170906A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | 龙吟;范荣伟;王洲男;倪棋梁;王恺;陈宏璘 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/04 | 分类号： | B24B37/04;B24B37/013 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种检测研磨工艺负载效应的方法，通过采用测试晶圆测试出平坦化工艺的研磨缺陷间距及研磨工艺的最佳工艺时间，于工艺晶圆上设置对应间距的虚拟图案，并对工艺晶圆进行最佳工艺时间的平坦化工艺，进而能有效的避免因晶圆上图形密度不同而引起的负载效应的产生，在提高产品性能的同时，增大了产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 检测 研磨 工艺 负载 效应 方法 | ||
【主权项】：
一种检测研磨工艺负载效应的方法，其特征在于，包括：根据工艺需求制备多个测试晶圆；对所述测试晶圆进行平坦化工艺，以获取过度研磨缺陷的间距；根据所述过度缺陷的间距于工艺晶圆上设置虚拟图案后，对所述工艺晶圆进行平坦化工艺；其中，根据所述工艺晶圆的图案制备所述测试晶圆。
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