[发明专利]一种采用应力接近技术的晶体管的制作方法

摘要

本发明提供一种采用应力接近技术的晶体管的制作方法，包括形成第一结构的晶体管，至少包括一个具有源区、漏区、多晶硅栅、以及金属硅化物的NMOS和一个具有源区、漏区、多晶硅栅、以及金属硅化物、且源、漏区为SiGe填充层的PMOS；其中，多晶硅栅的侧壁依次结合有SiN偏墙、SiO2侧墙及SiN侧墙，上表面结合有SiN硬膜；于晶体管表面形成覆盖上述结构的旋涂层；干法回刻旋涂层直至露出SiN硬膜；采用湿法腐蚀法去除SiN硬膜和全部或部分侧墙；然后去除所述旋涂层。本发明采用旋涂层在湿法刻蚀时保护晶体管结构，在完全去除SiN硬膜的同时避免了金属硅化物、SiGe填充层等被腐蚀而导致晶体管性能的降低。本发明工艺简单，可以有效提高晶体管的性能和良率，适用于工业生产。

主权项

一种采用应力接近技术的晶体管的制作方法，其特征在于，所述制作方法至少包括以下步骤：1)形成第一结构的晶体管，至少包括一个NMOS和一个PMOS，所述NMOS包括源区、漏区、多晶硅栅、以及形成于所述源、漏区表面的金属硅化物；所述PMOS包括源区、漏区、多晶硅栅、以及形成于所述源、漏区表面的金属硅化物，所述PMOS的源、漏区为SiGe填充层；其中，所述多晶硅栅的侧壁依次结合有SiN偏墙、SiO2侧墙及SiN侧墙，表面结合有SiN硬膜；2)于所述第一结构的晶体管表面形成覆盖所述多晶硅栅和半导体衬底的旋涂层；3)干法回刻所述旋涂层，干法回刻对所述SiN硬膜的刻蚀速率大于或等于对所述旋涂层的腐蚀速率；4)采用湿法腐蚀法去除所述SiN硬膜和全部或部分侧墙，湿法腐蚀对所述SiN硬膜的腐蚀速率大于对所述旋涂层的腐蚀速率；5)去除所述旋涂层。