[发明专利]一种采用应力接近技术的晶体管的制作方法

权利要求书

1.一种采用应力接近技术的晶体管的制作方法，其特征在于，所述制作方法至少包括以下步骤：

1）形成第一结构的晶体管，至少包括一个NMOS和一个PMOS，所述NMOS包括源区、漏区、多晶硅栅、以及形成于所述源、漏区表面的金属硅化物；所述PMOS包括源区、漏区、多晶硅栅、以及形成于所述源、漏区表面的金属硅化物，所述PMOS的源、漏区为SiGe填充层；其中，所述多晶硅栅的侧壁依次结合有SiN偏墙、SiO₂侧墙及SiN侧墙，表面结合有SiN硬膜；

2）于所述第一结构的晶体管表面形成覆盖所述多晶硅栅和半导体衬底的旋涂层；

3）干法回刻所述旋涂层；

4）采用湿法腐蚀法去除所述SiN硬膜和全部或部分侧墙；

5）去除所述旋涂层。

2.根据权利要求1所述的采用应力接近技术的晶体管的制作方法，其特征在于：还包括以下步骤：

6）于晶体管表面依次形成层间电介质SiN层及SiO₂层；

7）采用化学机械抛光法进行抛光，直至露出所述多晶硅栅。

3.根据权利要求1所述的采用应力接近技术的晶体管的制作方法，其特征在于：步骤1）包括以下步骤：

1-1）提供一硅衬底，于所述硅衬底中形成浅沟道隔离区，并于浅沟道隔离区两侧分别形成N阱和P阱；

1-2）制作多晶硅栅，并于其表面形成SiN硬膜，于其侧壁形成SiN偏墙，并采用离子注入工艺形成轻离子注入的NMOS和PMOS的源漏区；

1-3）于N阱的多晶硅栅两侧形成凹槽，并于所述凹槽内形成SiGe填充层；

1-4）于所述多晶硅栅侧壁形成SiO₂侧墙及SiN侧墙，并采用离子注入工艺形成重离子注入的NMOS和PMOS的源漏区；

1-5）于所述NMOS及PMOS的源、漏区表面形成金属硅化物。

4.根据权利要求1所述的采用应力接近技术的晶体管的制作方法，其特征在于：所述金属硅化物包括硅化镍、硅化钴、硅化钛、硅化钨、硅化钽中的一种。

5.根据权利要求1所述的采用应力接近技术的晶体管的制作方法，其特征在于：步骤3）中，干法回刻后所述旋涂层的表面为平直面。

6.根据权利要求1所述的采用应力接近技术的晶体管的制作方法，其特征在于：步骤3）中，干法回刻对所述SiN硬膜的刻蚀速率大于或类似于对所述旋涂层的腐蚀速率。

7.根据权利要求1所述的采用应力接近技术的晶体管的制作方法，其特征在于：步骤4）中，去除所述SiN硬膜的同时完全去除或部分去除所述SiN侧墙。

8.根据权利要求1所述的采用应力接近技术的晶体管的制作方法，其特征在于：步骤4）中，湿法腐蚀对所述SiN硬膜的腐蚀速率大于对所述旋涂层的腐蚀速率。

9.根据权利要求8所述的采用应力接近技术的晶体管的制作方法，其特征在于：所述旋涂层为无机多晶硅抗反射旋涂覆盖层或有机旋涂覆盖层。

10.根据权利要求8所述的采用应力接近技术的晶体管的制作方法，其特征在于：采用的湿法腐蚀液为H₃PO₄。

11.根据权利要求1所述的采用应力接近技术的晶体管的制作方法，其特征在于：步骤2）中，所述旋涂层的厚度为120～250nm。