[发明专利]一种GaN基发光二极管外延结构及其制备方法

摘要

本发明公开了一种GaN基发光二极管外延结构及其制备方法，该GaN基发光二极管外延结构的复合多量子阱层包括顺序生长的第一势垒层、超晶格应力调制层、第二势垒层、高温浅量子阱层与低温发光量子阱层。低温发光量子阱层包括预覆盖层、低温阱层、生长停顿层、覆盖层及低温势垒层。该外延片通过在低温势垒层上形成充当低温阱层晶籽的预覆盖层，可促进低温阱层生长类量子点结构，生长停顿层控制量子点的尺寸与密度，同时改善均匀性及长晶品质，使阱的局域限制效果更好，电子与空穴复合机率变大，提高发光效率与高稳定温度特性及抑制大电流注入下发生光效下降(efficiency droop)的效应。

主权项

一种GaN基发光二极管外延结构从下向上依次为：衬底层、氮化镓低温缓冲层、未掺杂的高温氮化镓层、n型氮化镓层、n型铝铟镓氮层、复合多量子阱层、p型电子阻挡层、p型氮化镓层，其特征在于复合多量子阱层从下向上依次包括第一势垒层、超晶格应力调制层、第二势垒层、高温浅量子阱层与低温发光量子阱层。