[发明专利]半导体器件、PFC电路、电源装置和放大器

摘要

本发明涉及半导体器件、PFC电路、电源装置和放大器。具体而言，一种具有晶体管区域和浪涌保护器区域的半导体器件包括：衬底；形成在衬底上的第一半导体层；形成在第一半导体层上的第二半导体层；形成在晶体管区域中的第二半导体层上的栅电极、源电极和漏电极；形成在浪涌保护器区域中的第二半导体层上的浪涌保护器第一电极、浪涌保护器第二电极和浪涌保护器第三电极，其中源电极和浪涌保护器第二电极彼此连接，其中漏电极和浪涌保护器第三电极彼此连接，其中浪涌保护器第一电极形成在浪涌保护器第二电极和浪涌保护器第三电极之间，其中浪涌保护器第一电极和浪涌保护器第三电极之间的距离小于栅电极和漏电极之间的距离。

主权项

一种具有晶体管区域和浪涌保护器区域的半导体器件，包括：衬底；形成在所述衬底上的第一半导体层；形成在所述第一半导体层上的第二半导体层；形成在所述晶体管区域中的所述第二半导体层上的栅电极、源电极和漏电极；以及形成在所述浪涌保护器区域中的所述第二半导体层上的浪涌保护器第一电极、浪涌保护器第二电极和浪涌保护器第三电极，其中所述源电极和所述浪涌保护器第二电极彼此连接，其中所述漏电极和所述浪涌保护器第三电极彼此连接，其中所述浪涌保护器第一电极形成在所述浪涌保护器第二电极和所述浪涌保护器第三电极之间，以及其中在所述浪涌保护器第一电极和所述浪涌保护器第三电极之间的距离小于在所述栅电极和所述漏电极之间的距离。