[发明专利]晶圆背面对准的方法在审
| 申请号： | 201310066825.9 | 申请日： | 2013-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN104022060A | 公开（公告）日： | 2014-09-03 |
| 发明（设计）人： | 杨晓松;邹永祥 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/68 | 分类号： | H01L21/68 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种晶圆背面对准的方法。在进行背面对准时将晶圆从第二表面进行刻蚀，使得第一对准标记显现出来，并且在晶圆的两个主要表面采用了呈镜像对称的对准标记，便能够在不改变单面对准设备的情况下，实现背面对准产品的生产，从而提高了设备的利用率，并大大降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 背面 对准 方法 | ||
【主权项】：
一种晶圆背面对准的方法，其特征在于，包括：在第一晶圆的第一表面上形成第一层器件，并反转所述第一晶圆使之结合于第二晶圆上，所述第一晶圆的第一表面上形成有第一对准标记；将所述第一晶圆从第二表面削薄至第一厚度，并刻蚀所述第一对准标记所在区域，使得所述第一对准标记显现；采用包括第二对准标记的光罩进行光刻；其中，所述第一对准标记和第二对准标记呈镜像对称。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
