[发明专利]基于有机薄膜晶体管的透明变色多重防伪闪速存储器件及其制造方法和应用无效
申请号: | 201310066495.3 | 申请日: | 2013-03-04 |
公开(公告)号: | CN103178210A | 公开(公告)日: | 2013-06-26 |
发明(设计)人: | 刘星元;张楠;范翊 | 申请(专利权)人: | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
主分类号: | H01L51/10 | 分类号: | H01L51/10;H01L51/40 |
代理公司: | 长春菁华专利商标代理事务所 22210 | 代理人: | 张伟 |
地址: | 130033 吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | 本发明涉及一种基于有机薄膜晶体管的透明变色多重防伪闪速存储器件及其制造方法和应用。该透明变色多重防伪闪速存储器件的具体结构包括柔性衬底、光学薄膜、修饰层、栅极、绝缘层、有源层、源电极和漏电极。本发明的透明变色多重防伪闪速存储器件不但具有良好的便携性能、透明特性和记忆特性,而且具有光致发光或光学变色防伪性能,可集成在有机射频识别标签上,应用于各种智能商业系统中。 | ||
搜索关键词: | 基于 有机 薄膜晶体管 透明 变色 多重 防伪 存储 器件 及其 制造 方法 应用 | ||
【主权项】:
一种基于有机薄膜晶体管的透明变色多重防伪闪速存储器件,其特征在于,结构依次包括:柔性衬底、光学薄膜、修饰层、栅极、绝缘层、有源层、源电极和漏电极;所述光学薄膜为光学变色薄膜或光致发光薄膜;其中光致发光薄膜为掺有稀土离子的氧化物薄膜;光学变色薄膜为分布式布拉格反射镜(DBR)碎片掺入聚合物溶液后用溶液旋涂法制备的薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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