[发明专利]一种硅基III-V族纳米管与微米管及其制备方法有效
| 申请号： | 201310066230.3 | 申请日： | 2013-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN104016294A | 公开（公告）日： | 2014-09-03 |
| 发明（设计）人： | 王琦;王二洋;李伯昌;任晓敏;贾志刚;闫映策;蔡世伟;黄永清 | 申请（专利权）人： | 北京邮电大学 |
| 主分类号： | B81B1/00 | 分类号： | B81B1/00;B81C99/00 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王朋飞;张庆敏 |
| 地址： | 100876 北京市海淀区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅基III-V族纳米管与微米管及其制备方法。纳米管与微米管是由单晶Si衬底上外延生长的III-V族应变半导体薄膜自卷曲所形成两端非封闭的圆柱形中空管状结构，其直径为1nm-100μm，其长度为1μm-1mm。这种管状结构在硅基光子学、微电机系统、传感等领域都有极大的应用价值。本发明集成了“由下至上”的异变外延生长和“由上而下”的光刻腐蚀技术。通过侧向腐蚀III-V族牺牲层，使III-V族应变双层薄膜从Si上释放并卷曲成管。该方法与III-V族光电子与微电子器件工艺兼容，具有制管工艺简单、管形貌好、管尺寸可控等优点，易在Si上形成大面积、规则一致的III-V族纳米管或微米管阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 iii 纳米 微米 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种硅基III‑V族纳米管与微米管，其特征在于，其是生长在单晶Si衬底上的III‑V族应变半导体薄膜，借助III‑V族牺牲层的侧向腐蚀与单晶Si衬底脱离，自卷曲围成两端不封闭的圆柱型中空管状结构，管状结构的直径为1nm‑100μm，长度为1μm‑1mm。
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