[发明专利]制造发光二极管的方法有效
| 申请号： | 201310063858.8 | 申请日： | 2010-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN103187493A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 酒井士郎 | 申请（专利权）人： | 首尔OPTO仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 郭鸿禧;戴嵩玮 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种制造发光二极管的方法，该方法包括：在第一基底上形成具有至少第一半导体层的多个化合物半导体层；在化合物半导体层上设置第二基底；使化合物半导体层与所述第一基底分离，其中，形成所述多个化合物半导体层的步骤包括在所述第一半导体层上形成图案层，在所述第一半导体层中形成多个腔并且增大腔的体积，增大腔的体积的步骤包括在所述图案层的上侧形成第二半导体层的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 发光二极管 方法 | ||
【主权项】：
一种制造发光二极管的方法，包括如下步骤：在第一基底上形成具有至少第一半导体层的多个化合物半导体层；在化合物半导体层上设置第二基底；使化合物半导体层与所述第一基底分离，形成所述多个化合物半导体层的步骤包括：在所述第一半导体层上形成图案层；在所述第一半导体层中形成多个腔；增大腔的体积，增大腔的体积的步骤包括在所述图案层的上侧形成第二半导体层的步骤。
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