[发明专利]一种在导电基底上制备Fe2O3纳米管阵列的方法有效
| 申请号： | 201310059785.5 | 申请日： | 2013-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN103160900A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 佘广为;齐小鹏;师文生 | 申请（专利权）人： | 中国科学院理化技术研究所 |
| 主分类号： | C25D9/04 | 分类号： | C25D9/04;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 李柏 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及在导电基底上制备Fe2O3纳米管阵列的方法。本发明是以载有ZnO纳米棒阵列的导电基底作为工作电极，以铂片作为对电极，以饱和甘汞电极作为参比电极，以含有FeCl2的水溶液作为电解液；通过对所述的工作电极施加恒定正电位（相对于参比电极），使得工作电极附近的电解液中的Fe2+被氧化为Fe3+并形成FeOOH沉淀物，FeOOH沉淀物在ZnO纳米棒的表面不断沉积，同时ZnO纳米棒逐渐溶解直至完全消失，形成FeOOH纳米管阵列，从而得到生长有FeOOH纳米管阵列的导电基底；然后在管式炉中进行高温退火，使FeOOH纳米管阵列转化为Fe2O3纳米管阵列，在导电基底上得到Fe2O3纳米管阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 导电 基底 制备 fe sub 纳米 阵列 方法 | ||
【主权项】：
一种在导电基底上制备Fe2O3纳米管阵列的方法，其特征是，所述的制备方法包括以下步骤：（1）以载有ZnO纳米棒阵列的导电基底作为工作电极，以铂片作为对电极，以饱和甘汞电极作为参比电极，以含有FeCl2的水溶液作为电解液；对工作电极施加相对于参比电极的恒定正电位，使所述的工作电极附近的电解液中的Fe2+被氧化为Fe3+并形成FeOOH沉淀物，FeOOH沉淀物在所述的ZnO纳米棒的表面不断沉积，同时ZnO纳米棒逐渐溶解直至完全消失，形成FeOOH纳米管阵列，得到生长有FeOOH纳米管阵列的导电基底；（2）将步骤（1）得到的生长有FeOOH纳米管阵列的导电基底放入管式炉中进行高温退火，使FeOOH纳米管阵列转化为Fe2O3纳米管阵列，在导电基底上得到Fe2O3纳米管阵列。
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