[发明专利]一种在导电基底上制备Fe2O3纳米管阵列的方法

权利要求书

1.一种在导电基底上制备Fe₂O₃纳米管阵列的方法，其特征是，所述的制备方法包括以下步骤：

（1）以载有ZnO纳米棒阵列的导电基底作为工作电极，以铂片作为对电极，以饱和甘汞电极作为参比电极，以含有FeCl₂的水溶液作为电解液；对工作电极施加相对于参比电极的恒定正电位，使所述的工作电极附近的电解液中的Fe²⁺被氧化为Fe³⁺并形成FeOOH沉淀物，FeOOH沉淀物在所述的ZnO纳米棒的表面不断沉积，同时ZnO纳米棒逐渐溶解直至完全消失，形成FeOOH纳米管阵列，得到生长有FeOOH纳米管阵列的导电基底；

（2）将步骤（1）得到的生长有FeOOH纳米管阵列的导电基底放入管式炉中进行高温退火，使FeOOH纳米管阵列转化为Fe₂O₃纳米管阵列，在导电基底上得到Fe₂O₃纳米管阵列。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征是：所述的含有FeCl₂的水溶液中的FeCl₂的浓度为5~15mM。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征是：所述的含有FeCl₂的水溶液的温度为50~80℃。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征是：所述的对工作电极施加相对于参比电极的恒定正电位的时间为2~20分钟。

5.根据权利要求1或4所述的方法，其特征是：所述的正电位的大小为0.95~1.15V。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征是：所述的高温退火的温度为500℃~800℃。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征是：所述的导电基底是FTO导电玻璃基底。