[发明专利]掩模板有效
申请号: | 201310056668.3 | 申请日: | 2013-02-22 |
公开(公告)号: | CN103149790A | 公开(公告)日: | 2013-06-12 |
发明(设计)人: | 黎午升 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 王莹 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种掩模板,所述掩模板包括不透光区和狭缝状透光区,所述狭缝状透光区设置有狭缝,所述狭缝的边缘为连续的凹状圆弧构成的曲线,所述狭缝存在拐角,所述拐角两侧狭缝的内径分别为A1、A2,所述凹状圆弧的半径分别为R1、R2,所述拐角分为内角和外角,所述狭缝在拐角处通过内角凹状圆弧和外角凹状圆弧连接。本发明的掩模板,采用连续的凹状圆弧曲线狭缝,并对狭缝拐角处进行平滑连接,不仅实现了窄线宽,而且线宽平滑无毛刺,保证了线宽的均一度,能够有效的避免拐角处线宽细线和过刻等问题,满足了两个方向窄线宽的需求,提高了产品生产制造的成品率和品质。 | ||
搜索关键词: | 模板 | ||
【主权项】:
一种掩模板,所述掩模板包括不透光区和狭缝状透光区,所述狭缝状透光区设置有狭缝,其特征在于,所述狭缝的边缘为连续的凹状圆弧构成的曲线。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
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