[发明专利]掩模板有效
申请号: | 201310056668.3 | 申请日: | 2013-02-22 |
公开(公告)号: | CN103149790A | 公开(公告)日: | 2013-06-12 |
发明(设计)人: | 黎午升 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 王莹 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 模板 | ||
1.一种掩模板,所述掩模板包括不透光区和狭缝状透光区,所述狭缝状透光区设置有狭缝,其特征在于,所述狭缝的边缘为连续的凹状圆弧构成的曲线。
2.权利要求1所述的掩模板,其特征在于,所述狭缝两侧边缘的凹状圆弧的沿中心轴对称。
3.权利要求2所述的掩模板,其特征在于,所述凹状圆弧为半圆弧。
4.权利要求3所述的掩模板,其特征在于,所述狭缝包括第一狭缝和第二狭缝,所述第一狭缝与第二狭缝之间存在拐角,所述第一狭缝与第二狭缝之间通过拐角凹状圆弧连接。
5.权利要求4所述的掩模板,其特征在于,所述拐角分为内角和外角,所述第一狭缝与第二狭缝在拐角处通过内角凹状圆弧和外角凹状圆弧连接。
6.权利要求5所述的掩模板,其特征在于,所述内角凹状圆弧为以第一狭缝的凹状圆弧半径与第二狭缝的凹状圆弧半径的平均值为半径,内角凹状圆弧角度为拐角角度的凹状圆弧。
7.权利要求5所述的掩模板,其特征在于,当内角两侧凹状圆弧相互重叠时,删除相互重叠部分的凹状圆弧,所述内角凹状圆弧为以内角顶点到删除后距内角顶点距离最近的凹状圆弧端点之间的距离为半径,内角凹状圆弧角度为拐角角度的凹状圆弧。
8.权利要求6或7任意一项所述的掩模板,其特征在于,所述外角两侧的凹状圆弧曲线分别向外角顶点延伸,所述凹状圆弧曲线在延伸到距离外角顶点小于各自凹状圆弧直径处停止,所述外角凹状圆弧为以所述凹状圆弧曲线停止处的两端点之间的距离为直径的半圆弧。
9.权利要求6或7任意一项所述的掩模板,其特征在于,所述外角两侧的凹状圆弧曲线分别向外角顶点延伸,所述凹状圆弧曲线在延伸到距离外角顶点小于各自直径处停止,所述外角凹状圆弧为以所述凹状圆弧曲线停止处的两端点及外角顶点为顶点的外接圆弧。
10.权利要求5所述的掩模板,其特征在于,当拐角角度为180度时,所述内角凹状圆弧与所述外角凹状圆弧同化为连接圆弧,所述连接圆弧为以第一狭缝和第二狭缝内径差的一半为半径的1/4圆弧。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备