[发明专利]掩模板有效
申请号: | 201310056668.3 | 申请日: | 2013-02-22 |
公开(公告)号: | CN103149790A | 公开(公告)日: | 2013-06-12 |
发明(设计)人: | 黎午升 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 王莹 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 模板 | ||
技术领域
本发明涉及显示器及半导体制造领域,特别涉及一种掩模板。
背景技术
随着高分辨率显示技术的发展,像素的尺寸在逐渐减小,为了保持开口率,像素金属电极和彩膜黑矩阵线宽也要求更窄。由于电磁波的衍射效应,在传统的光刻工艺中,很难实现窄线宽工艺。
为了克服这一效应的影响,目前实现窄线宽的方法是通过锯齿形掩模狭缝设计来实现窄线宽的方法,如图1所示;通过调节A,B,θ,来调节线宽的大小。这种方法的优点是只需要更改掩模狭缝的格局设计就能实现窄线宽的效果,但缺点是毛刺较多,不够平滑,且缺乏拐角设计,实际上往往采取直线型设计与锯齿形设计相结合的方式,即不需要窄线宽的方向使用直线型设计而需要窄线宽的方向使用锯齿形设计并将其插入直线型,如图2所示。两种设计的连接处因缺少平滑连接设计导致拐角处线宽过细易被刻蚀最终导致断线不良。另外,当两个方向都需要窄线宽设计时,图2的设计无法不能满足两个方向均需窄线宽的要求。
发明内容
(一)要解决的技术问题
本发明要解决的技术问题是:如何提供一种掩模板,能够避免掩模板上折线型或凸起状狭缝造成的毛刺较多、且不够平滑,缺少拐角处设计等问题,从而实现窄线宽的平滑无毛刺,保证线宽的均一度,能够有效的避免拐角处线宽细线和过刻等问题,提高产品生产制造的成品率和品质。
(二)技术方案
为解决上述技术问题,本发明提供了一种掩模板,所述掩模板包括不透光区和狭缝状透光区,所述狭缝状透光区设置有狭缝,所述狭缝的边缘为连续的凹状圆弧构成的曲线。
优选的,所述狭缝两侧边缘的凹状圆弧的沿中心轴对称。。
优选的,所述凹状圆弧为半圆弧。
优选的,所述狭缝包括第一狭缝和第二狭缝,所述第一狭缝与第二狭缝之间通过拐角连接。
优选的,所述拐角分为内角和外角,所述狭缝在拐角处通过内角凹状圆弧和外角凹状圆弧连接。
优选的,所述内角凹状圆弧为以第一狭缝的凹状圆弧半径与第二狭缝的凹状圆弧半径的平均值为半径,内角凹状圆弧角度为拐角角度的凹状圆弧。
优选的,当内角两侧凹状圆弧相互重叠时,删除相互重叠部分的凹状圆弧,所述内角凹状圆弧为以内角顶点到删除后距内角顶点距离最近的凹状圆弧端点之间的距离为半径,内角凹状圆弧角度为拐角角度的凹状圆弧。
优选的,所述外角两侧的凹状圆弧曲线分别向外角顶点延伸,所述凹状圆弧曲线在延伸到距离外角顶点小于各自直径处停止,所述外角凹状圆弧为以所述凹状圆弧曲线停止处的两端点之间的距离为直径的半圆弧。
优选的,所述外角两侧的凹状圆弧曲线分别向外角顶点延伸,所述凹状圆弧曲线在延伸到距离外角顶点小于各自直径处停止,所述外角凹状圆弧为以所述凹状圆弧曲线停止处的两端点及外角顶点为顶点的外接圆弧。
优选的,当拐角角度为180度时,所述内角凹状圆弧与所述外角凹状圆弧同化为连接圆弧,所述连接圆弧为以第一狭缝和第二狭缝内径差的一半为半径的1/4圆弧。
(三)有益效果
本发明的掩模板,采用连续的凹状圆弧曲线狭缝,并对狭缝拐角处进行平滑连接,不仅实现了窄线宽,而且线宽平滑无毛刺,保证了线宽的均一度,能够有效的避免拐角处线宽细线和过刻等问题,满足了两个方向窄线宽的需求,提高了产品生产制造的成品率和品质。
附图说明
图1是现有技术掩模板狭缝的结构示意图;
图2是现有技术直线形狭缝与锯齿形狭缝连接结构示意图;
图3是本发明实施例掩模板的结构示意图;
图4是本发明实施例掩模板狭缝拐角处的结构示意图
图5是本发明实施例掩模板拐角为180度的结构示意图;
图6是本发明实施例掩模板拐角过小时凹状圆弧相互重叠的结构示意图;
图7是本发明实施例掩模板拐角过小时的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例,对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明,但不用来限制本发明的范围。
实施例1
本发明实施例的掩模板,所述掩模板包括不透光区B和狭缝状透光区T,掩模板上设置有狭缝,狭缝两侧的边缘为连续的凹状圆弧构成的曲线,两侧的凹状圆弧构成的曲线位置相互对应,两侧的凹状圆弧沿狭缝方向的中心轴对称,如图3所示。
优选的,凹状圆弧为半圆弧,半圆弧的半径为R,所述凹状圆弧的半径R小于0.5μm,优选为0.3μm,各半圆弧底端形成的两条切线为内径切线,两内径切线之间的距离为内径。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备