[发明专利]光透射构件、图像拾取装置和及其制造方法有效
| 申请号: | 201310056470.5 | 申请日: | 2013-02-22 |
| 公开(公告)号: | CN103296041A | 公开(公告)日: | 2013-09-11 |
| 发明(设计)人: | 石冈真男 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 李晓芳 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 本发明提供一种光透射构件、图像拾取装置和及其制造方法。所述制造光透射构件的方法包括用于形成光透射构件的多个区域的多个处理。特别地,在用于在第一类区域组中形成具有窄带光透射性质的光透射部分的第一类处理之后,执行第二类处理以在第二类区域组中形成光透射部分,并且执行第四类处理以在第一区域中形成具有宽带光透射性质的光透射部分。 | ||
| 搜索关键词: | 透射 构件 图像 拾取 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种用于形成光透射构件的方法,包括:用于形成光透射部分的一系列处理,所述处理的每一个包括在预定平面的多个区域的任意一个区域中形成光透射膜并且留下所述光透射膜,并且对于具有不同的光透射性质的每个光透射膜的每次形成执行所述处理的每一个,所述预定平面的多个区域包括第一区域、第二区域、第三区域、第四区域、第五区域、第六区域、第七区域、第八区域和第九区域,关于所述预定平面的第一方向,所述第一区域在第二区域和第三区域之间,所述第二区域和第三区域在第六区域和第七区域之间,所述第二区域与第一区域和第六区域相邻,所述第三区域与第一区域和第七区域相邻,关于与所述预定平面的第一方向相交的第二方向,所述第一区域在第四区域和第五区域之间,所述第四区域和第五区域在第八区域和第九区域之间,所述第四区域与第一区域和第八区域相邻,并且所述第五区域与第一区域和第九区域相邻,其中,在布置在包括第二区域、第三区域、第四区域和第五区域的多个区域的每一个中的光透射部分呈现大于或等于预定值的透射率的波长带的至少一部分中,布置在第一区域中的光透射部分呈现大于或等于预定值的透射率,并且在布置在包括第二区域、第三区域、第四区域和第五区域的多个区域的每一个中的光透射部分呈现所述小于预定值的透射率的波长带的至少一部分中,布置在第一区域中的光透射部分呈现大于或等于预定值的透射率,并且其中,在所述一系列处理中,在对于第二区域、第三区域、第四区域和第五区域形成光透射部分之后,对于第一区域、第六区域、第七区域、第八区域和第九区域形成光透射部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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