[发明专利]基准电压产生装置有效

专利信息
申请号: 201310050845.7 申请日: 2013-02-08
公开(公告)号: CN103246309B 公开(公告)日: 2017-07-18
发明(设计)人: 吉野英生;小山内润;桥谷雅幸;广濑嘉胤 申请(专利权)人: 精工半导体有限公司
主分类号: G05F1/567 分类号: G05F1/567
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司11127 代理人: 李辉,黄纶伟
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供基准电压产生装置,其具有平坦的温度特性。该基准电压产生装置具备第一导电类型的耗尽型MOS晶体管(10),其为了作为电流源发挥功能而进行连接并流过恒定电流;以及第一导电类型的增强型MOS晶体管(20),其进行二极管连接,具有与耗尽型MOS晶体管(10)的迁移率大致相同的迁移率,基于恒定电流产生基准电压(VREF),因为耗尽型NMOS晶体管(10)与增强型NMOS晶体管(20)的迁移率大致相同,所以它们的温度特性也大致相同,基准电压(VREF)的温度特性平坦。
搜索关键词: 基准 电压 产生 装置
【主权项】:
一种基准电压产生装置,其特征在于,该基准电压产生装置具备:流过恒定电流的作为电流源发挥功能的第一导电类型的耗尽型NMOS晶体管;以及第一导电类型的增强型NMOS晶体管,其进行二极管连接,产生基于所述恒定电流的基准电压,所述第一导电类型的增强型NMOS晶体管的个数为1个,所述耗尽型NMOS晶体管的栅极电极为N型,为埋入沟道,所述增强型NMOS晶体管的栅极电极为P型,为埋入沟道,所述增强型NMOS晶体管的栅氧化膜的介电常数高于所述耗尽型NMOS晶体管的栅氧化膜的介电常数,使得减小从所述增强型NMOS晶体管的栅极电极向所述埋入沟道施加的电场,通过所述介电常数的差异,所述增强型NMOS晶体管和所述耗尽型NMOS晶体管具有相同的迁移率。
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