[发明专利]基准电压产生装置

权利要求书

1.一种基准电压产生装置，其特征在于，该基准电压产生装置具备：

流过恒定电流的作为电流源发挥功能的第一导电类型的耗尽型NMOS晶体管；以及

第一导电类型的增强型NMOS晶体管，其进行二极管连接，产生基于所述恒定电流的基准电压，所述第一导电类型的增强型NMOS晶体管的个数为1个，

所述耗尽型NMOS晶体管的栅极电极为N型，为埋入沟道，

所述增强型NMOS晶体管的栅极电极为P型，为埋入沟道，

所述增强型NMOS晶体管的栅氧化膜的介电常数高于所述耗尽型NMOS晶体管的栅氧化膜的介电常数，使得减小从所述增强型NMOS晶体管的栅极电极向所述埋入沟道施加的电场，通过所述介电常数的差异，所述增强型NMOS晶体管和所述耗尽型NMOS晶体管具有相同的迁移率。

2.一种基准电压产生装置，其特征在于，该基准电压产生装置具备：

流过恒定电流的作为电流源发挥功能的第一导电类型的耗尽型NMOS晶体管；以及

第一导电类型的增强型NMOS晶体管，其进行二极管连接，产生基于所述恒定电流的基准电压，所述第一导电类型的增强型NMOS晶体管的个数为1个，

所述耗尽型NMOS晶体管的栅极电极为N型，为埋入沟道，

所述增强型NMOS晶体管的栅极电极为P型，为埋入沟道，

所述增强型NMOS晶体管的栅氧化膜比所述耗尽型NMOS晶体管的栅氧化膜薄，使得减小从所述增强型NMOS晶体管的栅极电极向所述埋入沟道施加的电场，通过所述栅氧化膜的厚度的差异，所述增强型NMOS晶体管和所述耗尽型NMOS晶体管具有相同的迁移率。

3.一种基准电压产生装置，其特征在于，该基准电压产生装置具备：

流过恒定电流的作为电流源发挥功能的第一导电类型的耗尽型NMOS晶体管；以及

第一导电类型的增强型NMOS晶体管，其进行二极管连接，产生基于所述恒定电流的基准电压，所述第一导电类型的增强型NMOS晶体管的个数为1个，

所述耗尽型NMOS晶体管的栅极电极为N型，为埋入沟道，

所述增强型NMOS晶体管的栅极电极为P型，为埋入沟道，

所述增强型NMOS晶体管的沟道掺杂区域的主杂质的原子半径小于所述耗尽型NMOS晶体管的沟道掺杂区域的主杂质的原子半径，使得提高所述增强型NMOS晶体管的迁移率，通过所述原子半径的差异，所述增强型NMOS晶体管和所述耗尽型NMOS晶体管具有相同的迁移率。

4.根据权利要求3所述的基准电压产生装置，其中，

所述增强型NMOS晶体管的沟道掺杂区域的主杂质是磷，

所述耗尽型NMOS晶体管的沟道掺杂区域的主杂质是砷。

5.一种基准电压产生装置，其特征在于，该基准电压产生装置具备：

流过恒定电流的作为电流源发挥功能的第一导电类型的耗尽型NMOS晶体管；以及

第一导电类型的增强型NMOS晶体管，其进行二极管连接，产生基于所述恒定电流的基准电压，所述第一导电类型的增强型NMOS晶体管的个数为1个，

所述耗尽型NMOS晶体管的栅极电极为N型，为埋入沟道，

所述增强型NMOS晶体管的栅极电极为P型，为埋入沟道，

所述增强型NMOS晶体管的阱的杂质浓度比所述耗尽型NMOS晶体管的阱的杂质浓度小，使得提高所述增强型NMOS晶体管的迁移率，通过所述阱的杂质浓度的差异，所述增强型NMOS晶体管和所述耗尽型NMOS晶体管具有相同的迁移率。