[发明专利]替代栅极鳍片结构和方法有效
| 申请号： | 201310045924.9 | 申请日： | 2013-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN103247685A | 公开（公告）日： | 2013-08-14 |
| 发明（设计）人： | B·A·安德森;A·布赖恩特;E·J·诺瓦克 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/417;H01L29/10;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 于静;张亚非 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及替代栅极鳍片结构和方法。鳍片场效应晶体管（鳍片FET）结构和制造包括硅鳍片的鳍片FET的方法，该硅鳍片包括沟道区域和在沟道区域的每个端部上形成的源极/漏极（S/D）区域，其中沟道区域的整个底表面接触下绝缘体的顶表面并且S/D区域的底表面接触下硅锗（SiGe）层的顶表面的第一部分。鳍片FET结构还包括外部S/D区域，其接触每个S/D区域的顶表面和两个侧表面以及下SiGe层的顶表面的第二部分。鳍片FET结构还包括替代栅极或者栅极叠层，其接触在沟道区域的顶表面和两个侧表面上形成的保形介质，该栅极叠层被设置在下绝缘体之上且不在下SiGe层的第一和第二部分之上，其中替代栅极与外部S/D区域通过保形介质电绝缘。 | ||
| 搜索关键词： | 替代 栅极 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种鳍片场效应晶体管（鳍片FET）结构，包括：硅鳍片，包括沟道区域和在所述沟道区域的每个端部上形成的源极/漏极（S/D）区域，所述沟道区域的整个底表面接触下绝缘体的顶表面，以及所述S/D区域的底表面接触下硅锗（SiGe）层的顶表面的第一部分；外部S/D区域，接触每个所述S/D区域的顶表面和两个侧表面以及所述下SiGe层的顶表面的第二部分；栅极叠层，接触在所述沟道区域的顶表面和两个侧表面之上形成的保形介质，并设置在所述下绝缘体之上且不在所述下SiGe层的所述第一和第二部分之上，所述栅极叠层与所述外部S/D区域通过所述保形介质电绝缘。
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