[发明专利]一种去除多晶硅中的磷的方法有效
| 申请号： | 201310044719.0 | 申请日： | 2013-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN103072995A | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 陈晓萍;龚炳生;李伟生 | 申请（专利权）人： | 福建兴朝阳硅材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 北京元中知识产权代理有限责任公司 11223 | 代理人： | 王彩霞 |
| 地址： | 364211 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种低真空造渣除磷的方法，其步骤为：将金属硅与造渣剂均匀混合后放置于中频感应炉内石墨坩埚中，关闭真空密封盖，开启中频炉感应炉熔化硅和渣；待硅和渣完全熔化后，开启真空泵抽真空至1～10Pa，通入氩气；待反应完成后，进行定向凝固，切除上层杂质富集区，得到目标产品。本发明采用了低真空结合造渣的特殊方法除磷，有效的降低了制造成本，适于产业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 去除 多晶 中的 方法 | ||
【主权项】：
一种去除多晶硅中的磷的方法，包括如下步骤：（1）金属硅与造渣剂以质量比为100:1～100:10在石墨坩埚中混合，其中，造渣剂为NaCl‑KCl‑LiCl‑AlCl3，（2）加热步骤（1）的混合物，至金属硅完全熔化成硅液，保持硅液温度在1550～1800℃；（3）对石墨坩埚内抽真空，至压强在1～10Pa，同时，往硅液中通入氩气，速率为10～15L/min；（4）静置1～2h后，保持硅液温度在1450～1550℃，石墨坩埚以0.10～0.15mm/min的速率下降，离开加热区，进行定向凝固，冷却后取出硅锭，切除上层杂质富集区，得到提纯后多晶硅。
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