[发明专利]一种去除多晶硅中的磷的方法

权利要求书

1.一种去除多晶硅中的磷的方法，包括如下步骤：

（1）金属硅与造渣剂以质量比为100:1～100:10在石墨坩埚中混合，其中，造渣剂为NaCl-KCl-LiCl-AlCl₃，

（2）加热步骤（1）的混合物，至金属硅完全熔化成硅液，保持硅液温度在1550～1800℃；

（3）对石墨坩埚内抽真空，至压强在1～10Pa，同时，往硅液中通入氩气，速率为10～15L/min；

（4）静置1～2h后，保持硅液温度在1450～1550℃，石墨坩埚以0.10～0.15mm/min的速率下降，离开加热区，进行定向凝固，冷却后取出硅锭，切除上层杂质富集区，得到提纯后多晶硅。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述造渣剂中NaCl占20～30%，KCl占20～30%，LiCl占20～30%，余为AlCl₃。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，金属硅与造渣剂的质量比100:5～100:10。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述的步骤（2）的加热采用感应加热，使熔融硅液的温度保持在1550～1800°C。

5.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，感应加热的时候，采用中频熔融原料硅，中频炉功率控制在100～200KW。

6.一种用于权利要求1～5任一项所述的去除多晶硅中的磷的装置，包括：真空室（9）、升降主轴（5）、石墨坩埚（3）、感应线圈（1）、石墨管（6）、真空泵（7）、以及隔热板（2），其中，隔热板（2）围绕石墨坩埚（3）外周设置，感应线圈（1）缠绕在隔热板（2）外，升降主轴（5）设在石墨坩埚（3）的下面，控制石墨坩埚（3）下降速率，石墨管（6）插入到硅液中。

7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，还包括报警托盘（4）以及报警器（8）。

8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，报警托盘（4）设置在升降主轴（5）与石墨坩埚（3）之间，报警托盘（4）与石墨坩埚（3）的底部相接，报警托盘（4）与报警器（8）相连。

9.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，所述的报警托盘（4）的口径与石墨坩埚（3）底部的直径相同。