[发明专利]单晶In2Te3纳米线及其制备以及准一维In2Te3纳米结构的宽谱光探测器及其制备

摘要

本发明提供一种新的能够有效制备单晶In₂Te₃纳米线的制备方法及由该制备方法制备的单晶In₂Te₃纳米线，并且提供一种准一维In₂Te₃纳米结构的宽谱光探测器及其制备方法。所述光探测器包括：硅片基底，准一维In₂Te₃纳米结构，2个Cr/Au电极，其中，所述准一维In₂Te₃纳米结构位于硅片基底表面，所述2个Cr/Au电极分别至少压在准一维In₂Te₃纳米结构的两端。本发明制备的单晶In₂Te₃纳米线具有单晶性高、缺陷少、纯度高等优点，并且，制备的准一维In₂Te₃纳米结构的宽谱光探测器能够快速有效地探测从350nm至1090nm，跨越紫外-可见-近红外三个区域的光，其响应速度小于70ms，在2mW/cm²至40mW/cm²的光强范围内表现出很好的线性输入-输出特性。

主权项

一种单晶In₂Te₃纳米线的制备方法，其特征在于，该方法包括：以表面具有金覆盖层的硅片作为生长基底，以In₂Te₃作为反应源，在化学气相沉积法的条件下，在所述生长基底上制得单晶In₂Te₃纳米线。